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GT180P08M中文资料-80V P Channel SGT MOSFET数据手册GOFORD规格书

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厂商型号

GT180P08M

功能描述

-80V P Channel SGT MOSFET

制造商

GOFORD GOFORD SEMICONDUCTOR

中文名称

谷峰半导体 深圳市谷峰电子有限公司

数据手册

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更新时间

2025-11-18 17:46:00

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技术参数

  • 制造商编号

    :GT180P08M

  • 生产厂家

    :GOFORD

  • Package

    :TO-263

  • Type

    :P

  • ESD Diode

    :NO

  • Vds(V)

    :-80

  • Vgs(V)

    :±20

  • Id(A)

    :-89

  • Pd(W)

    :245

  • Vgs(th)max(V)

    :-2.5

  • Rds(on)mΩ(typ)@Vgs=10V

    :14

  • Rds(on)mΩ(typ)@Vgs=4.5V

    :16

  • Rds(on)mΩ(max)@Vgs=10V

    :17

  • Rds(on)mΩ(max)@Vgs=4.5V

    :20

  • Qg(nC)

    :62

  • Qgs(nC)

    :9

  • Qgd(nC)

    :17

  • Ciss(pF)

    :6012

  • Crss(pF)

    :19

  • Technology

    :SGT

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