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GT180N12M中文资料120V N Channel SGT MOSFET数据手册GOFORD规格书

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厂商型号

GT180N12M

功能描述

120V N Channel SGT MOSFET

制造商

GOFORD GOFORD SEMICONDUCTOR

中文名称

谷峰半导体

数据手册

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更新时间

2025-9-27 10:40:00

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技术参数

  • 制造商编号

    :GT180N12M

  • 生产厂家

    :GOFORD

  • Configuration

    :N channel

  • ESD

    :NO

  • VDS

    :120V

  • Id at 25℃(max)

    :55A

  • PD(max)

    :96W

  • Vgs(th)typ(V)

    :3.7V

  • RDS(on)(typ)(@10V)

    :13mΩ

  • Qg(nC)

    :22

  • Ciss

    :1635

  • Crss

    :5

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