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GT10N10数据手册GOFORD中文资料规格书

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厂商型号

GT10N10

功能描述

Trench Mosfet

制造商

GOFORD GOFORD SEMICONDUCTOR

中文名称

谷峰半导体

数据手册

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更新时间

2025-8-7 10:08:00

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技术参数

  • 制造商编号

    :GT10N10

  • 生产厂家

    :GOFORD

  • Configuration

    :N channel

  • ESD

    :NO

  • VDS(min)

    :100V

  • Id at 25℃(max)

    :7A

  • PD(max)

    :17W

  • Vgs(th)typ(V)

    :2V

  • RDS(on)(typ)(@10V)

    :115mΩ

  • RDS(on)(typ)(@4.5V)

    :150mΩ

  • Qg(nC)

    :4.3

  • Ciss

    :206

  • Crss

    :1.4

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