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GT10G131数据手册分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF

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厂商型号

GT10G131

参数属性

GT10G131 封装/外壳为8-SOIC(0.173",4.40mm 宽);包装为管件;类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单;产品描述:IGBT 400V 1W 8-SOIC

功能描述

IGBT for strobe flash

封装外壳

8-SOIC(0.173",4.40mm 宽)

制造商

Toshiba Toshiba Semiconductor

中文名称

东芝 株式会社东芝

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-8-6 14:55:00

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GT10G131规格书详情

描述 Description

Application Scope:Camera flashes
RoHS Compatible Product(s) (#):Available

特性 Features

Collector Current ICP 200 A
Collector power dissipation PC 1.9 W
Breakdown Voltage VCES 400 V

技术参数

  • 制造商编号

    :GT10G131

  • 生产厂家

    :Toshiba

  • Product Category

    :IGBT for strobe flash

  • Package name(Toshiba)

    :SOP-8

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
Toshiba Semiconductor and Stor
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