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GT042P06T中文资料谷峰半导体数据手册PDF规格书

GT042P06T
厂商型号

GT042P06T

功能描述

P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

丝印标识

GT042P06

封装外壳

TO-220

文件大小

947.15 Kbytes

页面数量

6

生产厂商 GOFORD SEMICONDUCTOR
企业简称

GOFORD谷峰半导体

中文名称

谷峰半导体官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-6-26 16:30:00

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GT042P06T规格书详情

Description

The GT042P06T uses advanced trench technology to

provide excellent RDS(ON) , low gate charge. It can be used in

a wide variety of applications.

Application

l Power switch

l DC/DC converters

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