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GT025N06AM6中文资料谷峰半导体数据手册PDF规格书

GT025N06AM6
厂商型号

GT025N06AM6

功能描述

N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

丝印标识

GT025N06

封装外壳

TO-263-6L

文件大小

841.27 Kbytes

页面数量

6

生产厂商 GOFORD SEMICONDUCTOR
企业简称

GOFORD谷峰半导体

中文名称

谷峰半导体官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-8-5 19:02:00

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GT025N06AM6规格书详情

描述 Description

The GT025N06AM6 uses advanced trench technology to

provide excellent RDS(ON) , low gate charge. It can be used in

a wide variety of applications.

Application

l Power switch

l DC/DC converters

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
N/A
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