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GSCLM358	文件：252.72 Kbytes Page：4 Pages	DUALOPERATIONALAMPLIFIER	GTMGTM CORPORATION 勤益投资控股勤益投资控股股份有限公司	GTM
GSCLM358	文件：265.65 Kbytes Page：4 Pages	DUALOPERATIONALAMPLIFIER	ETLE-Tech Electronics LTD 亚历电子亚历电子有限公司	ETL
HLM358	文件：108.11 Kbytes Page：7 Pages	LOWPOWERDUALOPERATIONALAMPLIFIERS Description Thesedevicesconsistoftwoindependent,highgain,internallyfrequencycompensatedoperationalamplifiersdesignedoperatefromasinglesupplyoverawiderangeofvoltages.Operationfromsplitsuppliesalsoispossibleifthedifferencebetweenthetwosuppliesis3Vto32V,a	HSMCHi-Sincerity Mocroelectronics 华昕华昕科技有限公司	HSMC
HLM358	文件：200.08 Kbytes Page：6 Pages	LowPowerDualOperationalAmplifiers	HSMCHi-Sincerity Mocroelectronics 华昕华昕科技有限公司	HSMC
HLM358P	文件：108.11 Kbytes Page：7 Pages	LOWPOWERDUALOPERATIONALAMPLIFIERS Description Thesedevicesconsistoftwoindependent,highgain,internallyfrequencycompensatedoperationalamplifiersdesignedoperatefromasinglesupplyoverawiderangeofvoltages.Operationfromsplitsuppliesalsoispossibleifthedifferencebetweenthetwosuppliesis3Vto32V,a	HSMCHi-Sincerity Mocroelectronics 华昕华昕科技有限公司	HSMC
HLM358S	文件：108.11 Kbytes Page：7 Pages	LOWPOWERDUALOPERATIONALAMPLIFIERS Description Thesedevicesconsistoftwoindependent,highgain,internallyfrequencycompensatedoperationalamplifiersdesignedoperatefromasinglesupplyoverawiderangeofvoltages.Operationfromsplitsuppliesalsoispossibleifthedifferencebetweenthetwosuppliesis3Vto32V,a	HSMCHi-Sincerity Mocroelectronics 华昕华昕科技有限公司	HSMC
HVC358B	文件：24.89 Kbytes Page：5 Pages	VariableCapacitanceDiodeforVCO Features •Highcapacitanceratio.(n=2.20.min) •Lowseriesresistance.(rs=0.4max) •GoodC-Vlinearity. •UltrasmallFlatPackage(UFP)issuitableforsurfacemountdesign.	HitachiHitachi Semiconductor 日立日立公司	Hitachi
HVC358B	文件：143.96 Kbytes Page：5 Pages	VariableCapacitanceDiodeforVCO Features •Highcapacitanceratio.(n=2.2min) •Lowseriesresistance.(rs=0.4Ωmax) •GoodC-Vlinearity. •UltrasmallFlatPackage(UFP)issuitableforsurfacemountdesign.	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
HVC358B	文件：42.67 Kbytes Page：2 Pages	VariableCapacitanceDiodeforVCO FEATURES •Highcapacitanceratio.(n=2.20.min) •Lowseriesresistance.(rs=0.4Ωmax) •GoodC-Vlinearity. •UltrasmallFlatPackage(UFP)issuitableforsurfacemountdesign.	LRCLeshan Radio Company 乐山无线电乐山无线电股份有限公司	LRC
HVD358B	文件：54.03 Kbytes Page：5 Pages	VariableCapacitanceDiodeforVCO Features •Highcapacitanceratio.(n=2.20min) •Lowseriesresistance.(rs=0.40Ωmax) •GoodC-Vlinearity. •SupersmallFlatLeadPackage(SFP)issuitableforsurfacemountdesign.	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS

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深圳市鸿博高科电子有限公司	GS358SF	GS	2014+	SOP-8	174	原装正品，现货QQ2885499103	询价
深圳市卓越微芯电子有限公司	GS358SF	GLOBALT	2020+	SOP-8	1497	百分百原装正品真实公司现货库存本公司只做原装可	询价
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