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GRM188R60J106ME47中文资料恩智浦数据手册PDF规格书

厂商型号	GRM188R60J106ME47
参数属性	GRM188R60J106ME47 封装/外壳为0603（1608 公制）；包装为卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带；类别为电容器 > 陶瓷电容器；GRM188R60J106ME47应用范围：通用；产品描述：CAP CER 10UF 6.3V X5R 0603
功能描述	Heterojunction Bipolar Transistor Technology (InGaP HBT)
文件大小	678.66 Kbytes
页面数量	15 页
生产厂商	NXP Semiconductors
企业简称	nxp【恩智浦】
中文名称	恩智浦半导体公司官网
原厂标识
数据手册	下载地址一下载地址二原厂数据手册到原厂下载
更新时间	2024-9-23 10:57:00

GRM188R60J106ME47规格书详情

Heterojunction Bipolar Transistor Technology (InGaP HBT)

High Efficiency/Linearity Amplifier

The MMA20312B is a 2-stage high efficiency, Class AB InGaP HBT amplifier designed for use as a linear driver amplifier in wireless base station applications as well as an output stage in femtocell or repeater applications. It is suitable for applications with frequencies from 1800 to 2200 MHz such as TD-SCDMA, PCS, UMTS and LTE. The amplifier is housed in a cost-effective, surface mount QFN plastic package.

Features

• Frequency: 1800-2200 MHz

• P1dB: 30.5 dBm @ 2140 MHz (CW Application Circuit)

• Power Gain: 26.4 dB @ 2140 MHz (CW Application Circuit)

• OIP3: 44.5 dBm @ 2140 MHz (W-CDMA Application Circuit)

• Active Bias Control (adjustable externally)

• Single 5 V Supply

• Cost-effective 12-pin, 3 mm QFN Surface Mount Plastic Package

• In Tape and Reel. T1 Suffix = 1,000 Units, 12 mm Tape Width, 7-inch Reel.

产品属性

产品编号：
GRM188R60J106ME47D
制造商：
Murata Electronics
类别：
电容器 > 陶瓷电容器
系列：
GRM
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
容差：
±20%
电压 - 额定：
6.3V
温度系数：
X5R
工作温度：
-55°C ~ 85°C
应用：
通用
安装类型：
表面贴装，MLCC
封装/外壳：
0603（1608 公制）
大小 / 尺寸：
0.063" 长 x 0.031" 宽（1.60mm x 0.80mm）
厚度（最大值）：
0.035"（0.90mm）
描述：
CAP CER 10UF 6.3V X5R 0603

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