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ISGM2022	文件：443.59 Kbytes Page：5 Pages	HalfBridgeModule FEATURES ·VCE(sat)withpositivetemperaturecoefficient ·LowVCE(sat) ·Lowswitchinglosses ·Highcurrentcapability ·Shortcircuitrated APPLICATIONS ·Motordrives ·Servodrives	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
KIA2022AFN	文件：279.86 Kbytes Page：13 Pages	BIPOLARLINEARINTEGRATEDCIRCUIT(1.5VAM/FMMPX) 1.5VAM/FM+MPX(forDigitalTurningSystem) TheKIA2022AFNisAM/FMIF+MPXsystemIC,whichisdesignedforDTSRadios. ThisisincludedmanyfunctionsandthesecanbeusedfordigitaltuningsystemwithIFcounter.	KECKEC CORPORATION KEC株式会社	KEC
KPC2022	文件：193.38 Kbytes Page：3 Pages	Photocoupler(ThesePhotocouplerscosistofaGalliumArsenideInfraredEmitting)	KODENSHIKODENSHI_AUK CORP. 可天士可天士光电子集团	KODENSHI
KTC2022D	文件：394.22 Kbytes Page：2 Pages	EPITAXIALPLANARNPNTRANSISTOR(GENERALPURPOSE) GENERALPURPOSEAPPLICATION. FEATURES •LowCollector-EmitterSaturationVoltage :VCE(sat)=-2.0V(Max.). •ComplementarytoKTA1042D/L.	KECKEC CORPORATION KEC株式会社	KEC
KTC2022D	文件：329.83 Kbytes Page：2 Pages	iscSiliconNPNPowerTransistor DESCRIPTION ·Collector-EmitterBreakdownVoltage V(BR)CEO=100V(Min) ·GoodLinearityofhFE ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation APPLICATIONS ·Lowcollector-to-emittersaturationvoltage. ·Fastswitchingspeed	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
KTC2022D	文件：304.71 Kbytes Page：3 Pages	SiliconNPNPowerTransistor DESCRIPTION ·Collector-EmitterBreakdownVoltage -V(BR)CEO=100V(Min) ·Collector-EmitterSaturationVoltage -VCE(sat):=2.0V(Max)@IC=4A APPLICATIONS ·Designedforlowpoweraudioamplifierandlow-current, high-speedswitchingapplications	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
KTC2022I	文件：889.59 Kbytes Page：6 Pages	SiliconNPNtransistorinaTO-251PlasticPackage. Descriptions SiliconNPNtransistorinaTO-251PlasticPackage. Features Lowcollector-emittersaturationvoltage,complementarytoKTA1042I. Applications Generalpurposeamplifier.	FOSHANFoshan Blue Rocket Electronics Co.,Ltd. 蓝箭电子佛山市蓝箭电子股份有限公司	FOSHAN
KTC2022L	文件：394.22 Kbytes Page：2 Pages	EPITAXIALPLANARNPNTRANSISTOR(GENERALPURPOSE) GENERALPURPOSEAPPLICATION. FEATURES •LowCollector-EmitterSaturationVoltage :VCE(sat)=-2.0V(Max.). •ComplementarytoKTA1042D/L.	KECKEC CORPORATION KEC株式会社	KEC
KTC2022L	文件：59.29 Kbytes Page：2 Pages	EPITAXIALPLANARNPNTRANSISTOR	KECKEC CORPORATION KEC株式会社	KEC
KTC2022L	文件：323.76 Kbytes Page：3 Pages	SiliconNPNPowerTransistor DESCRIPTION ·Collector-EmitterBreakdownVoltage -V(BR)CEO=100V(Min) ·Collector-EmitterSaturationVoltage -VCE(sat):=2.0V(Max)@IC=4A APPLICATIONS ·Designedforlowpoweraudioamplifierandlow-current, high-speedswitchingapplications	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳科宇泰科技有限公司	GRF2022	GRF	19+	标准封装	15000		询价
兆亿微波(北京)科技有限公司	GRF2042	Guerrilla			2000		询价
千层芯半导体(深圳)有限公司	GRF2051	GuerrillaRF	24+	SMD	8000	射频放大器	询价
深圳市宏捷佳电子科技有限公司	GRF2051	GUERRILLA RF	24+	2.0 QFN-12	39500	进口原装现货支持实单价优	询价
贸泽芯城（深圳）电子科技有限公司	GRF2052	GUERRILLARF	23+	2.0QFN-12	10000	原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种	询价
深圳市威雅利发展有限公司	GRF2052	GUERRILLA-RF	1537+	2.0QFN-12	144	一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力	询价
深圳市朱博士电子科技有限公司	GRF2070	GRF	2405+	原厂封装	1674	只做原装优势现货库存渠道可追溯	询价
深圳市佰诺德电子有限公司	GRF2070	GRF	2324+		1674	原装正品,超低价出售	询价
深圳市拓亿芯电子有限公司	GRF2071	GUERRILLARF	23+	DFN	30000	代理全新原装现货,价格优势	询价
深圳市安富世纪电子有限公司	GRF2071	GUERRILLARF	23+	DFN	50000	全新原装正品现货,支持订货	询价

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