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HCTS245T	文件：93.04 Kbytes Page：3 Pages	RadiationHardenedOctalBusTransceiver,Three-State,Non-Inverting RadiationHardenedOctalBusTransceiver,Three-State,Non-Inverting Intersil’sSatelliteApplicationsFlowTM(SAF)devicesarefullytestedandguaranteedto100kRADtotaldose.TheseQMLClassTdevicesareprocessedtoastandardflowintendedtomeetthecostandshorterlead-timeneedsofla	Intersil Intersil Corporation	Intersil
HF245	文件：254.31 Kbytes Page：14 Pages	16-BITBUSTRANSCEIVERSWITH3-STATEOUTPUTS	TITexas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI
HOM245	文件：129.09 Kbytes Page：2 Pages	MINIATURECIRCUITBREAKER120/240V45A	SCHNEIDERSchneider Electric 施耐德施耐德电气	SCHNEIDER
HOM245CP	文件：123.42 Kbytes Page：2 Pages	MINIATURECIRCUITBREAKER120/240V45A	SCHNEIDERSchneider Electric 施耐德施耐德电气	SCHNEIDER
HS-245RH	文件：110.2 Kbytes Page：8 Pages	RadiationHardenedTripleLine(party-Line)Transmitter TheHS-245RH/246RH/248RHradiationhardenedtriplelinetransmitterandtriplelinereceiversarefabricatedusingtheIntersildielectricisolationprocess.ThesepartsareidenticalinpinoutandfunctiontotheoriginalHD-245/246/248.Theyarealsodiesizeandbondpadplacementcompatiblewi	Intersil Intersil Corporation	Intersil
HS-245RH	文件：227.3 Kbytes Page：8 Pages	RadiationHardenedTripleLineTransmitter	Intersil Intersil Corporation	Intersil
HS-245RH	文件：341.73 Kbytes Page：8 Pages	RadiationHardenedTripleLineTransmitterandReceivers Features •ElectricallyScreenedtoSMD#5962-96722and 5962-96723 •QMLQualifiedperMIL-PRF-38535Requirements •RadiationHardenedDIProcessing -TotalDose....................200krad(Si)(Max) -LatchupFree -NeutronFluence..................5	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
IRF245	文件：70.67 Kbytes Page：7 Pages	14Aand13A,275Vand250V,0.28and0.34Ohm,N-ChannelPowerMOSFETs Description TheseareN-Channelenhancementmodesilicongatepowerfieldeffecttransistors.TheyareadvancedpowerMOSFETsdesigned,tested,andguaranteedtowithstandaspecifiedlevelofenergyinthebreakdownavalanchemodeofoperation.AllofthesepowerMOSFETsaredesignedforapplica	Intersil Intersil Corporation	Intersil
IRF245	文件：48.33 Kbytes Page：2 Pages	StaticDrain-SourceOn-Resistance DESCRIPTION •DrainCurrentID=13A@TC=25℃ •DrainSourceVoltage- :VDSS=250V(Min) •StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.28Ω(Max) APPLICATIONS •Switchingpowersupplies •Switchingconverters,motordriver,relaydriver •Audioamplifierandservomotors	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRFP245	文件：68.75 Kbytes Page：7 Pages	15Aand14A,275Vand250V,0.28and0.34Ohm,N-ChannelPowerMOSFETs Description TheseareN-Channelenhancementmodesilicongatepowerfieldeffecttransistors.TheyareadvancedpowerMOSFETsdesigned,tested,andguaranteedtowithstandaspecifiedlevelofenergyinthebreakdownavalanchemodeofoperation.AllofthesepowerMOSFETsaredesignedforapplica	Intersil Intersil Corporation	Intersil

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