GPA030A120MN-FD_分立半导体产品晶体管-UGBT、MOSFET-单-SemiQ

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厂家型号：
GPA030A120MN-FD
制造商：
SemiQ
库存数量：
0
类别：
分立半导体产品晶体管-UGBT、MOSFET-单
封装外壳：
TO-3P-3，SC-65-3
包装：
管件
安装类型：
通孔
更新时间：
2024-5-24 11:36:00

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原厂料号：GPA030A120MN-FD品牌：SemiQ

资料说明：IGBT 1200V 60A 329W TO3PN

GPA030A120MN-FD是分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单。制造商SemiQ生产封装TO-3P-3，SC-65-3的GPA030A120MN-FD晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT（绝缘栅双极晶体管）是一种具有三个端子的多层半导体器件，能够处理大电流，具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。

芯片型号：
gpa030a120mn-fd
规格书：
原厂下载下载
资料说明：
IGBT 1200V 60A 329W TO3PN

产品属性

类型
描述
产品编号：
GPA030A120MN-FD
制造商：
SemiQ
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
包装：
管件
IGBT 类型：
沟槽型场截止
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
2.5V @ 15V，30A
开关能量：
4.5mJ（开），850µJ（关）
输入类型：
标准
25°C 时 Td（开/关）值：
40ns/245ns
测试条件：
600V，30A，10 欧姆，15V
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-3P-3，SC-65-3
供应商器件封装：
TO-3PN
描述：
IGBT 1200V 60A 329W TO3PN

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GPA030A120MN-FD_分立半导体产品 晶体管-UGBT、MOSFET-单-SemiQ

GPA030A120MN-FD

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