GPA020A120MN-FD_分立半导体产品 晶体管-UGBT、MOSFET-单-SemiQ

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原厂料号:GPA020A120MN-FD品牌:SemiQ

资料说明:IGBT 1200V 40A 223W TO3PN

GPA020A120MN-FD是分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单。制造商SemiQ生产封装TO-3P-3,SC-65-3的GPA020A120MN-FD晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT(绝缘栅双极晶体管)是一种具有三个端子的多层半导体器件,能够处理大电流,具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。

  • 芯片型号:

    gpa020a120mn-fd

  • 规格书:

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  • 资料说明:

    IGBT 1200V 40A 223W TO3PN

产品属性

  • 类型

    描述

  • 产品编号:

    GPA020A120MN-FD

  • 制造商:

    SemiQ

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

  • 包装:

    管件

  • IGBT 类型:

    沟槽型场截止

  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):

    2.5V @ 15V,20A

  • 开关能量:

    2.8mJ(开),480µJ(关)

  • 输入类型:

    标准

  • 25°C 时 Td(开/关)值:

    30ns/150ns

  • 测试条件:

    600V,20A,10 欧姆,15V

  • 工作温度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-3P-3,SC-65-3

  • 供应商器件封装:

    TO-3PN

  • 描述:

    IGBT 1200V 40A 223W TO3PN

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