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P20B12SL	文件：352.83 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent–ID=20A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=120V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=44mΩ(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCcon	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
P20B12SL	文件：1.45755 Mbytes Page：7 Pages	PowerMOSFETs120V,20A,N-channel	SHINDENGENShindengen Electric Mfg.Co.Ltd 日本新电元工业株式会社	SHINDENGEN
P20B12SN	文件：352.83 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent–ID=20A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=120V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=42mΩ(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCcon	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
P20B12SN	文件：790.62 Kbytes Page：4 Pages	PowerMOSFET	SHINDENGENShindengen Electric Mfg.Co.Ltd 日本新电元工业株式会社	SHINDENGEN
SKKT20B12E	文件：910.39 Kbytes Page：4 Pages	ThyristorModules	SemikronSemikron International 赛米控丹佛斯	Semikron
SKKT20B12E	文件：279.09 Kbytes Page：5 Pages	ThyristorModules	SemikronSemikron International 赛米控丹佛斯	Semikron

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