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BD20B12

100Base-TDUALportthroughholeMagnetics

TNKDongguan Xinkang Electronic Technology Co., Ltd.

讯康电子东莞市讯康电子科技股份有限公司

P20B12SL

iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent–ID=20A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=120V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=44mΩ(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCcon

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

P20B12SL

PowerMOSFETs120V,20A,N-channel

SHINDENGENShindengen Electric Mfg.Co.Ltd

日本新电元工业株式会社

P20B12SN

iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent–ID=20A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=120V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=42mΩ(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCcon

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

P20B12SN

PowerMOSFET

SHINDENGENShindengen Electric Mfg.Co.Ltd

日本新电元工业株式会社

SKKT20B12E

ThyristorModules

SemikronSemikron International

赛米控丹佛斯

SKKT20B12E

ThyristorModules

SemikronSemikron International

赛米控丹佛斯

晶体管资料

  • 型号:

    GFT20B12

  • 别名:

    三极管、晶体管、晶体三极管

  • 生产厂家:

  • 制作材料:

    GTO-Thy

  • 性质:

  • 封装形式:

    直插封装

  • 极限工作电压:

    1200V

  • 最大电流允许值:

    7A

  • 最大工作频率:

    <1MHZ或未知

  • 引脚数:

    2

  • 可代换的型号:

  • 最大耗散功率:

  • 放大倍数:

  • 图片代号:

    E-43

  • vtest:

    1200

  • htest:

    999900

  • atest:

    7

  • wtest:

    0

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
CurtisIndustries
75
全新原装 货期两周
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Curtis Industries
2022+
71
全新原装 货期两周
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HITACHI/日立
23+
MODULE
10000
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种
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HITACHI
23+
MODULE
7300
专注配单,只做原装进口现货
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23+
MODULE
7300
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QFN
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QFN
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更多GFT20B12供应商 更新时间2025-5-24 16:06:00