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GFB50N03	文件：109.23 Kbytes Page：5 Pages	N-Channel Enhancement-Mode MOSFET 文件：109.23 Kbytes 页数：5 Pages	GE	GE
GFB50N03	文件：300 bytes Page：1 Pages	N-Channel Enhancement-Mode MOSFET	General Semiconductor	General Semiconductor
GFP50N03	文件：114.67 Kbytes Page：5 Pages	N-Channel Enhancement-Mode MOSFET Features • Advanced Process Technology • High Density Cell Design for Ultra Low On-Resistance • Specially Designed for Low Voltage DC/DC Converters • Fast Switching for High Efficiency 文件：114.67 Kbytes 页数：5 Pages	GE	GE
H50N03E	文件：54.5 Kbytes Page：5 Pages	N-Channel Enhancement-Mode MOSFET (25V, 50A) 文件：54.5 Kbytes 页数：5 Pages	HSMC 华昕	HSMC
H50N03J	文件：64.16 Kbytes Page：5 Pages	N-Channel Enhancement-Mode MOSFET (25V, 50A) 文件：64.16 Kbytes 页数：5 Pages	HSMC 华昕	HSMC

详细参数

型号：
GFB50N03
功能描述：
MOSFET N-Channel 30V 50A
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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