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GFC9130	文件：116.44 Kbytes Page：1 Pages	P Channel Power MOSFET 文件：116.44 Kbytes 页数：1 Pages	GSG 劲力半导体	GSG
GFC9130	文件：300 bytes Page：1 Pages	P Channel Power MOSFET	Gunter 劲力半导体	Gunter
IRF9130	文件：508.31 Kbytes Page：12 Pages	P-CHANNEL POWER MOSFETS FEATURES • Low RDS(on) • Improved inductive ruggedness • Fsat switching times • Rugged polysilicon gate cell structure • Low input capacitance • Extended safe operating area • Improved high temperature reliability 文件：508.31 Kbytes 页数：12 Pages	SAMSUNG 三星	SAMSUNG
IRFP9130	文件：378.27 Kbytes Page：6 Pages	P-CHANNEL POWER MOSFETS FEATURES • Low RDS(on) • Improved inductive ruggedness • Fsat switching times • Rugged polysilicon gate cell structure • Low input capacitance • Extended safe operating area • Improved high temperature reliability 文件：378.27 Kbytes 页数：6 Pages	SAMSUNG 三星	SAMSUNG
TC9130P	文件：459.25 Kbytes Page：6 Pages	TC9130P 4CH INDEPENDENT CYCLIC TYPE TOUCH SWITCH 文件：459.25 Kbytes 页数：6 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA

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