GF1J-E3分立半导体产品的二极管-整流器-单规格书PDF中文资料

厂商型号 |
GF1J-E3 |
参数属性 | GF1J-E3 封装/外壳为DO-214BA;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品的二极管-整流器-单;产品描述:DIODE GEN PURP 600V 1A DO214BA |
功能描述 | Surface Mount Glass Passivated Rectifier |
封装外壳 | DO-214BA |
文件大小 |
96.3 Kbytes |
页面数量 |
4 页 |
生产厂商 | Vishay Siliconix |
企业简称 |
VISHAY【威世科技】 |
中文名称 | 威世科技半导体官网 |
原厂标识 | ![]() |
数据手册 | |
更新时间 | 2025-6-28 23:00:00 |
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GF1J-E3规格书详情
FEATURES
• Superectifier structure for high reliability condition
• Ideal for automated placement
• Low forward voltage drop
• Low leakage current
• High forward surge capability
• Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of 250 °C
• AEC-Q101 qualified
• Material categorization: For definitions of compliance
please see www.vishay.com/doc?99912
TYPICAL APPLICATIONS
For use in general purpose rectification of power supplies,
inverters, converters and freewheeling diodes for consumer,
automotive and telecommunication.
产品属性
- 产品编号:
GF1J-E3/67A
- 制造商:
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- 类别:
分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 单
- 系列:
SUPERECTIFIER®
- 包装:
卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带
- 二极管类型:
标准
- 电流 - 平均整流 (Io):
1A
- 速度:
标准恢复 >500ns,> 200mA(Io)
- 安装类型:
表面贴装型
- 封装/外壳:
DO-214BA
- 供应商器件封装:
DO-214BA(GF1)
- 工作温度 - 结:
-65°C ~ 175°C
- 描述:
DIODE GEN PURP 600V 1A DO214BA
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
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