GF1G-E3分立半导体产品的二极管-整流器-单规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
GF1G-E3 |
| 参数属性 | GF1G-E3 封装/外壳为DO-214BA；包装为卷带（TR）剪切带（CT）；类别为分立半导体产品的二极管-整流器-单；产品描述：DIODE GEN PURP 400V 1A DO214BA |
| 功能描述 | Surface Mount Glass Passivated Rectifier |
| 封装外壳 | DO-214BA |
| 文件大小 |
96.3 Kbytes |
| 页面数量 |
4 页 |
| 生产厂商 | Vishay Vishay Siliconix |
| 中文名称 | 威世 威世科技公司 |
| 网址 | |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-11-13 11:20:00 |
| 人工找货 | GF1G-E3价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
GF1G-E3规格书详情
FEATURES
• Superectifier structure for high reliability condition
• Ideal for automated placement
• Low forward voltage drop
• Low leakage current
• High forward surge capability
• Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of 250 °C
• AEC-Q101 qualified
• Material categorization: For definitions of compliance
please see www.vishay.com/doc?99912
TYPICAL APPLICATIONS
For use in general purpose rectification of power supplies,
inverters, converters and freewheeling diodes for consumer,
automotive and telecommunication.
产品属性
- 产品编号：
GF1G-E3/67A
- 制造商：
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- 类别：
分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 单
- 系列：
SUPERECTIFIER®
- 包装：
卷带（TR）剪切带（CT）
- 二极管类型：
标准
- 电流 - 平均整流 (Io)：
1A
- 速度：
标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
DO-214BA
- 供应商器件封装：
DO-214BA（GF1）
- 工作温度 - 结：
-65°C ~ 175°C
- 描述：
DIODE GEN PURP 400V 1A DO214BA
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
VISHAY/威世 |
22+ |
DO-214BA |
12245 |
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VISHAY/威世 |
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VISHAY/威世 |
21+ |
NA |
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VISHAY |
23+ |
DO-214A |
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VISHAY/威世 |
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VISHAY/威世 |
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