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GF1J-E3分立半导体产品的二极管-整流器-单规格书PDF中文资料

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厂商型号

GF1J-E3

参数属性

GF1J-E3 封装/外壳为DO-214BA;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品的二极管-整流器-单;产品描述:DIODE GEN PURP 600V 1A DO214BA

功能描述

Surface Mount Glass Passivated Rectifier

封装外壳

DO-214BA

文件大小

96.3 Kbytes

页面数量

4

生产厂商

VISHAY Vishay Siliconix

中文名称

威世 威世科技公司

网址

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数据手册

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更新时间

2026-2-10 11:06:00

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GF1J-E3规格书详情

FEATURES

• Superectifier structure for high reliability condition

• Ideal for automated placement

• Low forward voltage drop

• Low leakage current

• High forward surge capability

• Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of 250 °C

• AEC-Q101 qualified

• Material categorization: For definitions of compliance

   please see www.vishay.com/doc?99912

TYPICAL APPLICATIONS

   For use in general purpose rectification of power supplies,

   inverters, converters and freewheeling diodes for consumer,

   automotive and telecommunication.

产品属性

  • 产品编号:

    GF1J-E3/67A

  • 制造商:

    Vishay General Semiconductor - Diodes Division

  • 类别:

    分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 单

  • 系列:

    SUPERECTIFIER®

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带

  • 二极管类型:

    标准

  • 电流 - 平均整流 (Io):

    1A

  • 速度:

    标准恢复 >500ns,> 200mA(Io)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    DO-214BA

  • 供应商器件封装:

    DO-214BA(GF1)

  • 工作温度 - 结:

    -65°C ~ 175°C

  • 描述:

    DIODE GEN PURP 600V 1A DO214BA

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