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STGF14N60D	文件：425.32 Kbytes Page：11 Pages	丝印：GF14N60D；Package：TO-220FP；14 A - 600 V - short circuit rugged IGBT 文件：425.32 Kbytes 页数：11 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS

详细参数

型号：
GF14N60D
功能描述：
IGBT 晶体管 14A 600V SHRT CIR RUGGED IGBT
RoHS：
否
制造商：
Fairchild Semiconductor
配置：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
650 V
集电极—射极饱和电压：
2.3 V
栅极/发射极最大电压：
20 V 在25
C的连续集电极电流：
150 A
栅极—射极漏泄电流：
400 nA
功率耗散：
187 W
封装/箱体：
TO-247
封装：
Tube

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更多GF14N60D供应商更新时间2025-9-15 10:11:00

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