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HVC359	文件：138.74 Kbytes Page：5 Pages	VariableCapacitanceDiodeforVCO Features •HighcapacitanceratioandgoodC-Vlinearity. •Tobeusableatlowvoltage. •UltrasmallFlatLeadPackage(UFP)issuitableforsurfacemountdesign.	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
HVD359	文件：44.7 Kbytes Page：1 Pages	VariableCapacitanceDiodeforVCXO Features ●HighcapacitanceratioandgoodC-Vlinearity. ●Tobeusableatlowvoltage. ●SupersmallFlatLeadPackage(SFP)issuitableforsurfacemountdesign.	ZHAOXINGWEI Zhaoxingwei Electronics ., Ltd	ZHAOXINGWEI
HVD359	文件：34.73 Kbytes Page：5 Pages	VariableCapacitanceDiodeforVCXO Features •HighcapacitanceratioandgoodC-Vlinearity. •Tobeusableatlowvoltage. •SupersmallFlatPackage(SFP)issuitableforsurfacemountdesign.	HitachiHitachi Semiconductor 日立日立公司	Hitachi
HVD359	文件：52.25 Kbytes Page：5 Pages	VariableCapacitanceDiodeforVCO Features •HighcapacitanceratioandgoodC-Vlinearity. •Tobeusableatlowvoltage. •SupersmallFlatLeadPackage(SFP)issuitableforsurfacemountdesign.	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS

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