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40A,600Vinsulatedgatebipolartransistor | HMSEMIShenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd 华之美半导体深圳市华之美半导体有限公司 | HMSEMI | ||
600V,40A,TrenchFSIIIGBT | HMSEMIShenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd 华之美半导体深圳市华之美半导体有限公司 | HMSEMI | ||
600VDuoPackIGBTTRENCHSTOPTMPerformanceseries | InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司 | Infineon | ||
TRENCHSTOPTMPerformancetechnology | InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司 | Infineon | ||
600VDuoPackIGBTTRENCHSTOPTMPerformanceseries | InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司 | Infineon | ||
ReverseconductingIGBT | InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司 | Infineon | ||
Powerfulmonolithicbodydiodewithlowforwardvoltagedesignedforsoftcommutationonly | InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司 | Infineon | ||
powerfulmonolithicbodydiodewithlowforwardvoltage | InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司 | Infineon | ||
LowLossDuoPack:IGBTinTrenchStop-technologywithanti-paralleldiode Features: •VerylowVCE(sat)1.5V(typ.) •MaximumJunctionTemperature175°C •Shortcircuitwithstandtime–5µs •TrenchStop® andFieldstoptechnologyfor600Vapplications offers: -verytightparameterdistribution -highruggedness,temperaturestablebehavior -lowVCE(sat | InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司 | Infineon | ||
LowLossDuoPack:IGBTinTrenchStop-technologywithanti-paralleldiode | InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司 | Infineon |
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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