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ME40N03P-G	文件：980.93 Kbytes Page：7 Pages	N-Channel30-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
MI40N03	文件：1.01571 Mbytes Page：8 Pages	N-Channel30-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
MTD40N03	文件：1.01528 Mbytes Page：8 Pages	N-Channel30-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
NTD40N03R	文件：119.19 Kbytes Page：7 Pages	PowerMOSFET45A,25V,N−ChannelDPAK Features •PlanarHD3eProcessforFastSwitchingPerformance •LowRDS(on)toMinimizeConductionLoss •LowCisstoMinimizeDriverLoss •LowGateCharge •OptimizedforHighSideSwitchingRequirementsin High−EfficiencyDC−DCConverters •ThesearePb−FreeDevices	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NTD40N03R	文件：259.959 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=45A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=25V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=16.5mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
NTD40N03R	文件：1.01523 Mbytes Page：8 Pages	N-Channel30-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
NTD40N03R	文件：65.76 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET45Amps,25Volts	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NTD40N03RG	文件：65.76 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET45Amps,25Volts	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NTD40N03RG	文件：1.01524 Mbytes Page：8 Pages	N-Channel30-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
PHP40N03	文件：980.78 Kbytes Page：7 Pages	N-Channel30-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI

详细参数

型号：
GE40N03
制造商：
GTM
制造商全称：
GTM
功能描述：
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET

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