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GE40N03	文件：251.39 Kbytes Page：5 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET BVDSS 30V RDS(ON) 17mΩ ID 40A Description The GE40N03 provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiveness. The TO-220 package is universally preferred for all commercial-industrial applications and suite 文件：251.39 Kbytes 页数：5 Pages	GTM 勤益投资控股	GTM
GE40N03	文件：255.08 Kbytes Page：5 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET 文件：255.08 Kbytes 页数：5 Pages	ETL 亚历电子	ETL
GE40N03	文件：300 bytes Page：1 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET	ETL 亚历电子	ETL
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更多GE40N03供应商更新时间2025-11-30 14:01:00