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GE12047BCA3	文件：495.27 Kbytes Page：9 Pages	1200V Dual Silicon Carbide Power module Features •HighlyreliableGESiCMOSFETdevices •LowRDS(ON)(3.1mΩ)(deviceonly) •Lowstrayinductance(1nH) •SiCdiequalifiedto+200C •Ultralowswitchinglossesoverentire operatingrange •Bodydiodewithminimalreverse recovery •Integratedtemperaturesensing •DedicatedDES	GECGeneral Electric Company 美国通用电气公司	GEC

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GE12047BCA3

文件：495.27 Kbytes

Page：9 Pages

1200V Dual Silicon Carbide Power module

Features •HighlyreliableGESiCMOSFETdevices •LowRDS(ON)(3.1mΩ)(deviceonly) •Lowstrayinductance(1nH) •SiCdiequalifiedto+200C •Ultralowswitchinglossesoverentire operatingrange •Bodydiodewithminimalreverse recovery •Integratedtemperaturesensing •DedicatedDES

GECGeneral Electric Company

美国通用电气公司

GEC

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更多GE12047BCA3供应商更新时间2025-7-25 13:56:00

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