1200V Dual Silicon Carbide Power module

Features •Highly reliable GE SiC MOSFET devices •Low R DS(ON) (3.1 mΩ) (device only) •Low stray inductance (1 nH ) •SiC die qualified to +200 C •Ultra low switching losses over entire operating range •Body diode with minimal reverse recovery •Integrated temperature sensing •Dedicated DES

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GEC

通用电气

BGA

AMD

超威半导体

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BGA

AMD

超威半导体

上传：深圳市达恩科技有限公司

GPRS

TELIT

泰利特

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Sensor Module

韩国GenUV

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