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GE17042BCA3

1700V Dual Silicon Carbide Power Module

Features •Highly reliable GE SiCMOSFET devices •Low RDS(ON) (3.75 mΩ) (device only) •Low stray inductance (1 nH) •Ultra-low switching losses over entire operating range •Body diode with minimal reverse recovery •Integrated temperature sensing •AlSiCBaseplate and Si3N4AMB Substrate

文件:710.38 Kbytes 页数:9 Pages

GEC

通用电气

GE210HICJ23HM

BGA

AMD

超威半导体

上传:深圳市达恩科技有限公司

GE210HICJ23HM

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上传:深圳市达恩科技有限公司

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更多GE17042BCA3供应商 更新时间2021-9-14 10:50:00