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FTB818B	文件：630.86 Kbytes Page：5 Pages	TRANSISTOR(PNP) DESCRIPTIONS ThedeviceismanfacturedinlowvoltagePNPPlanarTechnologywith“BaseIsland”layout.TheresultingTransistorshowsexceptionalhighgainperformancecoupledwithverylowsaturationvoltage. FEATURE Verylowcollectortoemittersaturationvoltage APPLICATIONS ●Powerm	FS First Silicon Co., Ltd	FS
FX818	文件：672.31 Kbytes Page：26 Pages	CTCSSSIGNALLINGPROCESSOR	CMLMICROCML Microcircuits CML公司	CMLMICRO
GAAG818	文件：152.17 Kbytes Page：2 Pages	Outdoor(ADSS)OFCMLT:ARAMIDPEwith6TubesofØ1.9mm18fSMOS2G.652.D&G.657.A1. ProductDescription Outdoordrycore(ADSS)opticalfiberMultiLooseTubecablewitharamidyarnsasstrengthmemberandpolyethyleneouterjacket.Productfeature:Thiscable hasalldielectricandself-supportingproperties.Existingoutof6tubeswithadiameterof1.9mmwith18fibers(3t	BELDEN Belden Inc.	BELDEN
GI818	文件：74.91 Kbytes Page：4 Pages	GlassPassivatedJunctionFastSwitchingRectifier FEATURES •Superectifierstructureforhighreliabilitycondition •Cavity-freeglass-passivatedjunction •Fastswitchingforhighefficiency •Lowleakagecurrent •Highforwardsurgecapability •Solderdip275°Cmax.10s,perJESD22-B106 •Materialcategorization:fordefinitionsof	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
GI818	文件：75.6 Kbytes Page：4 Pages	GlassPassivatedJunctionFastSwitchingRectifier FEATURES •Superectifierstructureforhighreliabilitycondition •Cavity-freeglass-passivatedjunction •Fastswitchingforhighefficiency •Lowleakagecurrent •Highforwardsurgecapability •Solderdip275°Cmax.10s,perJESD22-B106 •AEC-Q101qualified •ComplianttoRoHSDire	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
GI818	文件：63.58 Kbytes Page：2 Pages	GLASSPASSIVATEDJUNCTIONFASTSWITCHINGRECTIFIER FEATURES ♦PlasticpackagehasUnderwritersLaboratoryFlammabilityClassification94V-0 ♦Hightemperaturemetallurgicallybondedconstruction ♦Glasspassivatedcavity-freejunction ♦CapableofmeetingenvironmentalstandardsofMIL-S-19500 ♦Fastswitchingforhighefficiency ♦1.0Amper	GE GE Industrial Company	GE
HABC818	文件：309.16 Kbytes Page：4 Pages	GENERALPURPOSETRANSISTOR	HOTTECHGuangdong Hottech Co. Ltd. 合科泰广东合科泰实业有限公司	HOTTECH
HCD-V818	文件：5.77565 Mbytes Page：18 Pages	SERVICEMANUAL	SonySONY 索尼	Sony
IM818-LCC	文件：1.66324 Mbytes Page：35 Pages	Modularapplicationdesignkit(MADK)ofIM818 EVAL-M1-IM818-Aisanevaluationboardformotordriveapplicationsbasedona3-phaseIPM.Combinedwith oneoftheavailableMADKcontrolboardoptions,itdemonstratesInfineon'sIPMtechnologyformotordrives. ThekitdemonstratesInfineon’sIPMtechnologyformotordrives. Mainfeatureso	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
IM818-LCC	文件：1.0327 Mbytes Page：22 Pages	CIPOS??MaxiIM818	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
IM818-MCC	文件：1.66324 Mbytes Page：35 Pages	Modularapplicationdesignkit(MADK)ofIM818 EVAL-M1-IM818-Aisanevaluationboardformotordriveapplicationsbasedona3-phaseIPM.Combinedwith oneoftheavailableMADKcontrolboardoptions,itdemonstratesInfineon'sIPMtechnologyformotordrives. ThekitdemonstratesInfineon’sIPMtechnologyformotordrives. Mainfeatureso	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
IM818-MCC	文件：961.17 Kbytes Page：21 Pages	CIPOS??MaxiIM818IM818-MCC	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
IM818-SCC	文件：1.3552 Mbytes Page：21 Pages	CIPOS??MaxiIM818	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
IM818-SCC	文件：1.66324 Mbytes Page：35 Pages	Modularapplicationdesignkit(MADK)ofIM818 EVAL-M1-IM818-Aisanevaluationboardformotordriveapplicationsbasedona3-phaseIPM.Combinedwith oneoftheavailableMADKcontrolboardoptions,itdemonstratesInfineon'sIPMtechnologyformotordrives. ThekitdemonstratesInfineon’sIPMtechnologyformotordrives. Mainfeatureso	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
INA818	文件：3.77433 Mbytes Page：52 Pages	INA851Precision,Low-Noise,FullyDifferentialOutputInstrumentationAmplifierWithAttenuatingGainandOutputClamping 1Features •Gainprogrammablefrom G=0.2to10,000byusingexternalresistor •Fullydifferentialoutputswithintegratedclamping •Lowoffsetvoltage:10μV(typ),35μV(max) •Lowoffsetdrift:0.1μV/°C(typ),0.3μV/°C(max) •Lowinputbiascurrent:5nA(typ) •Inputstagenoise	TITexas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI
INA818	文件：3.17466 Mbytes Page：33 Pages	INA823Precision,Low-Power,Wide-Supply(2.7-Vto36-V)InstrumentationAmplifier	TITexas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI
INA818	文件：1.46741 Mbytes Page：28 Pages	INA851Precision,Low-Noise,FullyDifferentialOutputInstrumentationAmplifierWithOptionalAttenuatingGain	TITexas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI
INA818	文件：1.20124 Mbytes Page：39 Pages	35-uVOffset,8-nV/?숰zNoise,Low-Power,PrecisionInstrumentationAmplifier	TI1Texas Instruments(TI) 德州仪器德州仪器 (TI)	TI1
INA818	文件：3.21241 Mbytes Page：36 Pages	INA849Ultra-Low-Noise(1nV/?숰z),High-Bandwidth,InstrumentationAmplifier	TITexas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI
INA818ID	文件：1.20124 Mbytes Page：39 Pages	35-uVOffset,8-nV/?숰zNoise,Low-Power,PrecisionInstrumentationAmplifier	TI1Texas Instruments(TI) 德州仪器德州仪器 (TI)	TI1

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更多GE-818供应商更新时间2024-5-21 10:00:00

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