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HV421LG	文件：56.63 Kbytes Page：5 Pages	HighVoltage1RENRingGenerator	SUTEX Supertex, Inc	SUTEX
HWS421	文件：70.69 Kbytes Page：2 Pages	GaAsDC-2.0GHzSPDTHighPowerSwitch Description TheHWS421isaGaAsMMICSPDThighpowerswitchinalowcostSOT-26plasticlead(Pb)freepackage.TheHWS421featureslowinsertionlosswithverylowDCpowerconsumption.ThishighpowerswitchcanbeusedinGSMandPCSsystemsasselectionoftransmitorreceivefunctionfora	HWHexawave, Inc 汉威光电汉威光电股份有限公司	HW
IFN421	文件：72.21 Kbytes Page：1 Pages	DualN-ChannelSiliconJunctionField-EffectTransistor DualN-ChannelSiliconJunctionField-EffectTransistor ●VeryHighInputImpedanceDifferentialAmplifiers ●Electrometers	InterFET InterFET Corporation	InterFET
IFNU421	文件：283.15 Kbytes Page：4 Pages	DualMatchedN-ChannelJFET Features •InterFETN0001HGeometry •LowLeakage:0.25pATypical •LowInputCapacitance:2.0pFTypical •HighInputImpedance •ReplacementforU421,U422,U423 •RoHSCompliant •SMT,TH,andBareDiePackageoptions. Applications •LowLeakageInputBuffer •HighFrequencyAmplif	InterFET InterFET Corporation	InterFET
IN421	文件：123.65 Kbytes Page：1 Pages	ContractorFlashlight	ENERGIZEREnergizer 劲量	ENERGIZER
INMP421	文件：504.64 Kbytes Page：21 Pages	OmnidirectionalMicrophonewithBottomPortandPDMDigitalOutput	TDKTDK Corporation TDK株式会社东电化（中国）投资有限公司	TDK
IRF421	文件：211.15 Kbytes Page：5 Pages	N-CHANNELPOWERMOSFETS	SamsungSamsung semiconductor 三星三星半导体	Samsung
IRF421	文件：157.18 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelPowerMOSFETs,3.0A,450V/500V	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
IRF421	文件：69.48 Kbytes Page：7 Pages	2.2Aand2.5A,450Vand500V,3.0and4.0Ohm,N-ChannelPowerMOSFETs Description TheseareN-Channelenhancementmodesilicongatepowerfieldeffecttransistors.TheyareadvancedpowerMOSFETsdesigned,tested,andguaranteedtowithstandaspecifiedlevelofenergyinthebreakdownavalanchemodeofoperation.AllofthesepowerMOSFETsaredesignedforappli	Intersil Intersil Corporation	Intersil
IRF421	文件：142.02 Kbytes Page：3 Pages	2.2Aand2.5A,450Vand500V,3.0and4.0Ohm,N-ChannelPowerMOSFETs Description TheseareN-Channelenhancementmodesilicongatepowerfieldeffecttransistors.TheyareadvancedpowerMOSFETsdesigned,tested,andguaranteedtowithstandaspecifiedlevelofenergyinthebreakdownavalanchemodeofoperation.AllofthesepowerMOSFETsaredesignedforapplica	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI

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产品属性

产品编号：
GDBAD421Z
制造商：
Littelfuse Inc.
类别：
连接器，互连器件 > 配电
系列：
POWR-BLOKS™
包装：
盒
类型：
配电板
极数：
1
线路侧连接类型：
螺钉连接
负载侧连接类型：
螺钉连接
线路侧电线/螺柱尺寸：
3/0 - #8CU/AL
负载侧电线/螺柱尺寸：
3/0 - #8CU/AL
描述：
ACS 600V DISTRIBUTION BLK 200A 1

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