GD25Q80EEIGR 集成电路（IC）存储器 GIGADEVICE/兆易创新

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1+	面议

厂家型号：
GD25Q80EEIGR
产品分类：
芯片
生产厂商：
GD/兆易创新
库存数量：
65904
产品封装：
USON8
生产批号：
25+
库存类型：
优势库存
更新时间：
2025-11-30 9:40:00

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原厂料号：GD25Q80EEIGR品牌：GD/兆易创新

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GD25Q80EEIGR是集成电路（IC） > 存储器。制造商GD/兆易创新/GigaDevice Semiconductor (HK) Limited生产封装USON8/8-XFDFN 裸露焊盘的GD25Q80EEIGR存储器存储器是集成电路上用作数据存储设备的半导体器件。这些器件分为非易失性或易失性两种，格式包括 CBRAM、DRAM、EEPROM、EERAM、EPROM、闪存、FRAM、NVSRAM、PCM (PRAM)、PSRAM、RAM 和 SRAM。这些器件的存储容量为 64 b 至 6 Tb 不等，接口有 I2C、MMC、并行、eMMC、串行、单线、SPI、UFS、Xccela 总线和 1-Wire。

芯片型号：
GD25Q80EEIGR
规格书：
下载下载2
企业简称：
GIGADEVICE【兆易创新】详情
厂商全称：
GigaDevice Semiconductor (Beijing) Inc.
中文名称：
北京兆易创新科技股份有限公司

产品属性

类型
描述
产品编号：
GD25Q80EEIGR
制造商：
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
类别：
集成电路（IC） > 存储器
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
存储器类型：
非易失
存储器格式：
闪存
技术：
FLASH - NOR
存储容量：
8Mb（1M x 8）
存储器接口：
SPI - 四 I/O
写周期时间 - 字，页：
70µs，2ms
电压 - 供电：
2.7V ~ 3.6V
工作温度：
-40°C ~ 85°C（TA）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
8-XFDFN 裸露焊盘
供应商器件封装：
8-USON（2x3）
描述：
8MBIT NOR FLASH /3.3V /USON8 3*2

供应商

企业：
深圳市富芯乐电子科技有限公司
商铺：
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15919825718
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GD25Q80EEIGR 集成电路（IC）存储器 GIGADEVICE/兆易创新

GD25Q80EEIGR

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