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GD25Q256DYIGR
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原厂料号:GD25Q256DYIGR品牌:兆易创新
GD25Q256DYIGR是集成电路(IC) > 存储器。制造商兆易创新/GigaDevice Semiconductor (HK) Limited生产封装WSON8 (6*8)/8-WDFN 裸露焊盘的GD25Q256DYIGR存储器存储器是集成电路上用作数据存储设备的半导体器件。这些器件分为非易失性或易失性两种,格式包括 CBRAM、DRAM、EEPROM、EERAM、EPROM、闪存、FRAM、NVSRAM、PCM (PRAM)、PSRAM、RAM 和 SRAM。这些器件的存储容量为 64 b 至 6 Tb 不等,接口有 I2C、MMC、并行、eMMC、串行、单线、SPI、UFS、Xccela 总线和 1-Wire。
产品属性
更多- 类型
描述
- 产品编号:
GD25Q256DYIGR
- 制造商:
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
- 类别:
- 包装:
管件
- 存储器类型:
非易失
- 存储器格式:
闪存
- 技术:
FLASH - NOR
- 存储容量:
256Mb(32M x 8)
- 存储器接口:
SPI - 四 I/O
- 写周期时间 - 字,页:
50µs,2.4ms
- 电压 - 供电:
2.7V ~ 3.6V
- 工作温度:
-40°C ~ 85°C(TA)
- 安装类型:
表面贴装型
- 封装/外壳:
8-WDFN 裸露焊盘
- 供应商器件封装:
8-WSON(6x8)
- 描述:
IC FLASH 256MBIT SPI/QUAD 8WSON
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