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GD25Q256D集成电路(IC)的存储器规格书PDF中文资料

GD25Q256D
厂商型号

GD25Q256D

参数属性

GD25Q256D 封装/外壳为16-SOIC(0.295",7.50mm 宽);包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为集成电路(IC)的存储器;产品描述:IC FLASH 256MBIT SPI/QUAD 16SOP

功能描述

MCU
IC FLASH 256MBIT SPI/QUAD 16SOP

封装外壳

16-SOIC(0.295",7.50mm 宽)

文件大小

4.30145 Mbytes

页面数量

28

生产厂商 GigaDevice Semiconductor (Beijing) Inc.
企业简称

GIGADEVICE兆易创新

中文名称

北京兆易创新科技股份有限公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-6-25 9:18:00

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GD25Q256D规格书详情

GD25Q256D属于集成电路(IC)的存储器。由北京兆易创新科技股份有限公司制造生产的GD25Q256D存储器存储器是集成电路上用作数据存储设备的半导体器件。这些器件分为非易失性或易失性两种,格式包括 CBRAM、DRAM、EEPROM、EERAM、EPROM、闪存、FRAM、NVSRAM、PCM (PRAM)、PSRAM、RAM 和 SRAM。这些器件的存储容量为 64 b 至 6 Tb 不等,接口有 I2C、MMC、并行、eMMC、串行、单线、SPI、UFS、Xccela 总线和 1-线。

产品属性

更多
  • 产品编号:

    GD25Q256DFIGR

  • 制造商:

    GigaDevice Semiconductor (HK) Limited

  • 类别:

    集成电路(IC) > 存储器

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带

  • 存储器类型:

    非易失

  • 存储器格式:

    闪存

  • 技术:

    FLASH - NOR

  • 存储容量:

    256Mb(32M x 8)

  • 存储器接口:

    SPI - 四 I/O

  • 写周期时间 - 字,页:

    50µs,2.4ms

  • 电压 - 供电:

    2.7V ~ 3.6V

  • 工作温度:

    -40°C ~ 85°C(TA)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    16-SOIC(0.295",7.50mm 宽)

  • 供应商器件封装:

    16-SOP

  • 描述:

    IC FLASH 256MBIT SPI/QUAD 16SOP

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
GD/兆易创新
22+
WSON-8
18000
原装正品
询价
GD
23+
WSOP
2000
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GigaDevice Semiconductor (HK)
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24+
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GD/兆易创新
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QFN
880000
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GigaDevice Semiconductor (HK)
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GD/兆易创新
22+
QFN
6000
进口原装 假一罚十 现货
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GD/兆易创新
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GD/兆易创新
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