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GD25PJX120L3S-ISGM2002	文件：2.080679 Mbytes Page：16 Pages	IGBT Module FEATURES ·Lowswitchinglosses ·Lowvce(sat)withpositivetemperaturecoefficient ·Includingfast&softrecoveryanti-parallelFWD ·Lowinductancecase ·Highshortcircuitcapability(10us) ·IsolatedheatsinkusingDBCtechnology ·Maximumjunctiontemperature175℃ APPLICATIONS ·I	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC

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GD25PJX120L3S-ISGM2002

文件：2.080679 Mbytes

Page：16 Pages

IGBT Module

FEATURES ·Lowswitchinglosses ·Lowvce(sat)withpositivetemperaturecoefficient ·Includingfast&softrecoveryanti-parallelFWD ·Lowinductancecase ·Highshortcircuitcapability(10us) ·IsolatedheatsinkusingDBCtechnology ·Maximumjunctiontemperature175℃ APPLICATIONS ·I

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC

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更多GD25PJX120L3S供应商更新时间2024-6-4 9:02:00

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