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GD25PJX120L3S-ISGM2002

IGBT Module

FEATURES · Low switching losses · Low vce(sat) with positive temperature coefficient · Including fast & soft recovery anti-parallel FWD · Low inductance case · High short circuit capability(10us) · Isolated heatsink using DBC technology · Maximum junction temperature 175℃ APPLICATIONS · I

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ISC

无锡固电

GD25Q127CSIG

SOP8

兆易创新(GigaDevice)

上传:深圳德田科技有限公司

兆易创新(GigaDevice)

GD25Q128ESIGR

SOP8

GigaDeviceGigaDevice Semiconductor (Beijing) Inc.

兆易创新北京兆易创新科技股份有限公司

上传:深圳市上美通科技有限公司

GD25Q16BSIG

SOP8

GD

GD25Q16CNIGR

USON-8

GIGADEVICE/兆易

上传:深圳市轩嘉盛电子有限公司

GIGADEVICE/兆易

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更多GD25PJX120L3S-ISGM2002供应商 更新时间2025-11-19 9:02:00