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GD25Q128ESIGR	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：8-SOIC（0.209"，5.30mm 宽）；包装：管件类别：集成电路（IC）存储器描述：128MBIT NOR FLASH /3.3V /SOP8 20	GigaDeviceGigaDevice Semiconductor (Beijing) Inc. 兆易创新北京兆易创新科技股份有限公司	GigaDevice
HM25Q128A	文件：8.65544 Mbytes Page：74 Pages	3V128M-BITSERIALNORFLASHWITHDUALANDQUADSPI&QPI	HMSEMIShenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd 华之美半导体深圳市华之美半导体有限公司	HMSEMI
N25Q128	文件：5.87419 Mbytes Page：185 Pages	128-Mbit,1.8V,multipleI/O,4-Kbytesubsectoreraseonbootsectors,XiPenabled,serialflashmemorywith108MHzSPIbusinterface Description TheN25Q128isa128Mbit(16Mbx8)serialFlashmemory,withadvancedwriteprotectionmechanisms.ItisaccessedbyahighspeedSPI-compatiblebusandfeaturesthepossibilitytoworkinXIP(“eXecutioninPlace”)mode.TheN25Q128supportsinnovative,high-performancequad/dual	NUMONYX numonyx	NUMONYX
N25Q128	文件：5.63587 Mbytes Page：180 Pages	128-Mbit3V,multipleI/O,4-Kbytesubsectoreraseonbootsectors,XiPenabled,serialflashmemorywith108MHzSPIbusinterface	NUMONYX numonyx	NUMONYX
P25Q128H	文件：3.10131 Mbytes Page：104 Pages	UltraLowPower,128M-bitSerialMultiI/OFlashMemoryDatasheet 2Description The P25Q128HisaserialinterfaceFlashmemorydevicedesignedforuseinawidevarietyofhighvolume consumerbasedapplicationsinwhichprogramcodeisshadowedfromFlashmemoryintoembeddedor externalRAMforexecution.Theflexibleerasearchitectureofthedevice,wi	PUYAPuran Semiconductor (Shanghai) Co., Ltd 普冉股份普冉半导体(上海)股份有限公司	PUYA
P25Q128HA-SUH-IR	文件：3.10131 Mbytes Page：104 Pages	UltraLowPower,128M-bitSerialMultiI/OFlashMemoryDatasheet 2Description The P25Q128HisaserialinterfaceFlashmemorydevicedesignedforuseinawidevarietyofhighvolume consumerbasedapplicationsinwhichprogramcodeisshadowedfromFlashmemoryintoembeddedor externalRAMforexecution.Theflexibleerasearchitectureofthedevice,wi	PUYAPuran Semiconductor (Shanghai) Co., Ltd 普冉股份普冉半导体(上海)股份有限公司	PUYA
P25Q128HA-SUH-IT	文件：3.10131 Mbytes Page：104 Pages	UltraLowPower,128M-bitSerialMultiI/OFlashMemoryDatasheet 2Description The P25Q128HisaserialinterfaceFlashmemorydevicedesignedforuseinawidevarietyofhighvolume consumerbasedapplicationsinwhichprogramcodeisshadowedfromFlashmemoryintoembeddedor externalRAMforexecution.Theflexibleerasearchitectureofthedevice,wi	PUYAPuran Semiconductor (Shanghai) Co., Ltd 普冉股份普冉半导体(上海)股份有限公司	PUYA
P25Q128HA-SUH-IW	文件：3.10131 Mbytes Page：104 Pages	UltraLowPower,128M-bitSerialMultiI/OFlashMemoryDatasheet 2Description The P25Q128HisaserialinterfaceFlashmemorydevicedesignedforuseinawidevarietyofhighvolume consumerbasedapplicationsinwhichprogramcodeisshadowedfromFlashmemoryintoembeddedor externalRAMforexecution.Theflexibleerasearchitectureofthedevice,wi	PUYAPuran Semiconductor (Shanghai) Co., Ltd 普冉股份普冉半导体(上海)股份有限公司	PUYA
P25Q128HA-SUH-IY	文件：3.10131 Mbytes Page：104 Pages	UltraLowPower,128M-bitSerialMultiI/OFlashMemoryDatasheet 2Description The P25Q128HisaserialinterfaceFlashmemorydevicedesignedforuseinawidevarietyofhighvolume consumerbasedapplicationsinwhichprogramcodeisshadowedfromFlashmemoryintoembeddedor externalRAMforexecution.Theflexibleerasearchitectureofthedevice,wi	PUYAPuran Semiconductor (Shanghai) Co., Ltd 普冉股份普冉半导体(上海)股份有限公司	PUYA
P25Q128HA-SUH-KR	文件：3.10131 Mbytes Page：104 Pages	UltraLowPower,128M-bitSerialMultiI/OFlashMemoryDatasheet 2Description The P25Q128HisaserialinterfaceFlashmemorydevicedesignedforuseinawidevarietyofhighvolume consumerbasedapplicationsinwhichprogramcodeisshadowedfromFlashmemoryintoembeddedor externalRAMforexecution.Theflexibleerasearchitectureofthedevice,wi	PUYAPuran Semiconductor (Shanghai) Co., Ltd 普冉股份普冉半导体(上海)股份有限公司	PUYA

产品属性

产品编号：
GD25Q128ESIGR
制造商：
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
类别：
集成电路（IC） > 存储器
包装：
管件
存储器类型：
非易失
存储器格式：
闪存
技术：
FLASH - NOR
存储容量：
128Mb（16M x 8）
存储器接口：
SPI - 四 I/O
写周期时间 - 字，页：
70µs，2.4ms
电压 - 供电：
2.7V ~ 3.6V
工作温度：
-40°C ~ 85°C（TA）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
8-SOIC（0.209"，5.30mm 宽）
供应商器件封装：
8-SOP
描述：
128MBIT NOR FLASH /3.3V /SOP8 20

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