GD150MLX65L3S数据手册批发采购斯达半导体-114ic电子网

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GD150MLX65L3S	文件：581.86 Kbytes Page：11 Pages	650V/150A 3-level in one-package General Description STARPOWER IGBT Power Module provides ultra low conduction loss as well as short circuit ruggedness. They are designed for the applications such as 3-level-application. Features  Low VCE(sat) Trench IGBT technology  Low switching loss  6μs short circuit capability  V 文件：581.86 Kbytes 页数：11 Pages	STARPOWER 斯达半导体	STARPOWER
GD150MLX65L3S	文件：300 bytes Page：1 Pages	600V/650V IGBT模块额定电压: 650V\n额定电流: 150A\n电路结构: ML=3 Level，Diode Clampling，NPC1\n芯片系列: X=Trench FS IGBT, Low Loss;	StarPower 斯达半导体	StarPower
GD25LQ16C8IGR	文件：0 bytes Page：0 Pages	USON8	GigaDeviceGigaDevice Semiconductor (Beijing) Inc. 兆易创新北京兆易创新科技股份有限公司上传：瀚佳科技(深圳)有限公司	GigaDevice
GD25LQ256CWIG	文件：0 bytes Page：0 Pages	WSON8	GigaDeviceGigaDevice Semiconductor (Beijing) Inc. 兆易创新北京兆易创新科技股份有限公司上传：深圳市兴联达电子有限公司(原兴达电子)	GigaDevice
GD25LQ32D	文件：0 bytes Page：0 Pages	WLCSP	GD 上传：深圳市森海汇恒科技有限公司	GD

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更多GD150MLX65L3S供应商更新时间2025-12-12 11:01:00