GD150MLX65L3S数据手册批发采购斯达半导体-114ic电子网

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GD150MLX65L3S	文件：581.86 Kbytes Page：11 Pages	650V/150A 3-level in one-package General Description STARPOWER IGBT Power Module provides ultra low conduction loss as well as short circuit ruggedness. They are designed for the applications such as 3-level-application. Features  Low VCE(sat) Trench IGBT technology  Low switching loss  6μs short circuit capability  V 文件：581.86 Kbytes 页数：11 Pages	STARPOWER 斯达半导体	STARPOWER
GD150MLX65L3S	文件：300 bytes Page：1 Pages	600V/650V IGBT模块额定电压: 650V\n额定电流: 150A\n电路结构: ML=3 Level，Diode Clampling，NPC1\n芯片系列: X=Trench FS IGBT, Low Loss;	StarPower 斯达半导体	StarPower
GD25B512MEYIGR	文件：0 bytes Page：0 Pages	WSON8	GD 上传：深圳市富达微科技有限公司	GD
GD25LQ16C8IGR	文件：0 bytes Page：0 Pages	USON8	GIGADEVICEGigaDevice Semiconductor (Beijing) Inc. 兆易创新北京兆易创新科技股份有限公司上传：瀚佳科技(深圳)有限公司	GIGADEVICE
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更多GD150MLX65L3S供应商更新时间2026-2-6 14:42:00