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GD200MLX65C2S

650V/200A in one-package

General Description STARPOWER IGBT Power Module provides ultra low conduction loss as well as short circuit ruggedness. They are designed for the applications such as 3-level-applications. Features  Low VCE(sat) trench IGBT technology  6μs short circuit capability  VCE(sat) with positive

文件:618.47 Kbytes 页数:11 Pages

STARPOWER

GD200MLX65C2S

600V/650V IGBT模块

额定电压: 650V\n额定电流: 200A\n电路结构: ML=3 Level,Diode Clampling,NPC1\n芯片系列: X=Trench FS IGBT, Low Loss;

StarPower

斯达

GD25LQ128EWIGR

GD
N/A

GD

GD25LQ16C8IGR

GIGADEVICE
USON8

GigaDeviceGigaDevice Semiconductor (Beijing) Inc.

兆易创新北京兆易创新科技股份有限公司

上传:瀚佳科技(深圳)有限公司

GD25LQ256CWIG

GIGADEVICE
WSON8

GigaDeviceGigaDevice Semiconductor (Beijing) Inc.

兆易创新北京兆易创新科技股份有限公司

上传:深圳市兴联达电子有限公司(原兴达电子)

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
STARPOWER
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斯达半导全系列在售,支持终端生产
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更多GD200MLX65C2S供应商 更新时间2025-10-9 19:17:00