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GC190N65FF	文件：913.49 Kbytes Page：6 Pages	丝印：GC190N65F；Package：TO-220F；N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The GC190N65FF uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) , low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. Application l Power switch l DC/DC converters 文件：913.49 Kbytes 页数：6 Pages	GOFORD 谷峰半导体	GOFORD
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更多GC190N65F供应商更新时间2025-9-15 9:18:00

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