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GBUL1008

LowVFBridgeRectifiers

Features ULrecognition,file#£230084 Glasspassivatedchipjunction Idealforprintedcircuitboards Highsurgecurrentcapability LowVF Solderdip275°Cmax.7s,perJESD22-B106

RFERFE international

RFE国际公司RFE国际股份有限公司

GNE1008TB

GaNEnhancementModePowerTransistor

Features ・ReliableandeasytousewithDFNpackage ・150VE-modeGaNFET ・HighGateVoltageMaximumRating Application ・IRLED,LDdriver ・HalfBridgetopologies ・AC/DCConverters(secondaryside) ・ClassDAudioamplifiers

ROHMRohm

罗姆罗姆半导体集团

GS1008

1.0AmpereSilionRectifier

DGNJDZNanjing International Group Co

南晶电子东莞市南晶电子有限公司

GS1008F

SURFACEMOUNTSILICONRECTIFIERDIODES

SUNMATESUNMATE electronic Co., LTD

森美特森美特半导体股份有限公司

GS1008FL

SURFACEMOUNTSWITCHINGDIODES

PANJITPan Jit International Inc.

強茂強茂股份有限公司

GS1008FL

SURFACEGENERALPURPOSERECTIFIERS

PANJITPan Jit International Inc.

強茂強茂股份有限公司

GS1008FL

1A800VRectifyingtube

SUNMATESUNMATE electronic Co., LTD

森美特森美特半导体股份有限公司

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GS1008FL

SURFACEMOUNTRECTIFIERDIODES

SUNMATESUNMATE electronic Co., LTD

森美特森美特半导体股份有限公司

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GS1008FL

SURFACEMOUNTRECTIFIERDIODES

SUNMATESUNMATE electronic Co., LTD

森美特森美特半导体股份有限公司

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GS1008FL

1.0AmpereSilionRectifier

DGNJDZNanjing International Group Co

南晶电子东莞市南晶电子有限公司

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