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GBPC1501-G	文件：98.69 Kbytes Page：3 Pages	GlassPassivatedBridgeRectifiers ReverseVoltage:50to1000V ForwardCurrent:15/25/35/50A RoHSDevice Features -Surgeoverload-300~450Amperespeak -Lowforwardvoltagedrop -Electricallyisolatedbase-2000Volts -MaterialsusedcarriesU/Lrecognition	COMCHIPComchip Technology 典琦典琦科技股份有限公司	COMCHIP
GBPC1501PS	文件：54.73 Kbytes Page：4 Pages	15AGLASSPASSIVATEDSINGLEPHASEBRIDGERECTIFIER GlassPassivatedDieConstruction LowReverseLeakageCurrent LowPowerLoss,HighEfficiency HeatsinkIntegratedEpoxyCasefor MaximumHeatDissipation LowThermalResistance HighSurgeCurrentCapability RecognizedFile#E157705	WTEWon-Top Electronics 毅星電子毅星电子股份有限公司	WTE
GBPC1501S	文件：73.46 Kbytes Page：4 Pages	15AGLASSPASSIVATEDSINGLE-PHASEBRIDGERECTIFIER	WTEWon-Top Electronics 毅星電子毅星电子股份有限公司	WTE
GBPC1501S	文件：53.53 Kbytes Page：4 Pages	15AGLASSPASSIVATEDSINGLEPHASEBRIDGERECTIFIER GlassPassivatedDieConstruction LowForwardVoltageDrop HighCurrentCapability LowThermalResistance HighSurgeCurrentCapability VerticalMountIdeallySuitedfor SpaceConstrainedApplications RecognizedFile#E157705	WTEWon-Top Electronics 毅星電子毅星电子股份有限公司	WTE
GBPC1501SLASHW	文件：55.81 Kbytes Page：3 Pages	GLASSPASSIVATEDSINGLE-OHASEBPIDGERECTIFIER VOLTAGERANGE50to1000VoltsCURRENT15.0Ampere FEATURES •PlasticpackagehasULflammabilityclassification94V-0 •Integrallymoldedheatsinkprovidesverylowthermalresistanceformaximumheatdissipation •Highforwardsurgecapacity •Glasspassivatedchipjunction •Highisolatio	MICMIC GROUP RECTIFIERS 昌福电子昌福电子有限公司	MIC
GBPC1501T	文件：362.86 Kbytes Page：4 Pages	SinglePhaseGlassPassivatedSiliconBridgeRectifier	GENESIC GeneSiC Semiconductor, Inc.	GENESIC
GBPC1501T	文件：352.64 Kbytes Page：4 Pages	SinglePhaseGlassPassivatedSiliconBridgeRectifier	GENESIC GeneSiC Semiconductor, Inc.	GENESIC
GBPC1501T/W	文件：488.95 Kbytes Page：2 Pages	BRIDGERECTIFIERS	AMERICASEMI America Semiconductor, LLC	AMERICASEMI
GBPC1501TSLASHW	文件：488.95 Kbytes Page：2 Pages	BRIDGERECTIFIERS	AMERICASEMI America Semiconductor, LLC	AMERICASEMI
GBPC1501W	文件：65.7 Kbytes Page：2 Pages	15AGLASSPASSIVATEDBRIDGERECTIFIER Features •GlassPassivatedDieConstruction •LowReverseLeakageCurrent •LowPowerLoss,HighEfficiency •SurgeOverloadRatingto300APeak •ElectricallyIsolatedMetalBaseforMaximumHeatDissipation •CasetoTerminalIsolationVoltage1500V •ULListedUnderRecognizedComponent	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES

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