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GB35XF120K数据手册分立半导体产品的晶体管-IGBT-模块规格书PDF

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厂商型号

GB35XF120K

参数属性

GB35XF120K 封装/外壳为ECONO2;包装为托盘;类别为分立半导体产品的晶体管-IGBT-模块;产品描述:IGBT MODULE 1200V 50A 284W

功能描述

Low VCE (on) Non Punch Through IGBT Technology

封装外壳

ECONO2

制造商

Infineon Infineon Technologies AG

中文名称

英飞凌 英飞凌科技股份公司

数据手册

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更新时间

2025-8-7 18:25:00

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技术参数

  • 产品编号:

    GB35XF120K

  • 制造商:

    Vishay General Semiconductor - Diodes Division

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - IGBT - 模块

  • 包装:

    托盘

  • IGBT 类型:

    NPT

  • 配置:

    三相反相器

  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):

    3V @ 15V,50A

  • 输入:

    标准

  • NTC 热敏电阻:

  • 工作温度:

    150°C(TJ)

  • 安装类型:

    底座安装

  • 封装/外壳:

    ECONO2

  • 描述:

    IGBT MODULE 1200V 50A 284W

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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