GB30RF60K中文资料IGBT PIM MODULE数据手册Infineon规格书
技术参数
- 型号：
GB30RF60K
- 功能描述：
IGBT 模块 50 Amp 600 Volt Non-Punch Through
- RoHS：
否
- 制造商：
Infineon Technologies
- 产品：
IGBT Silicon Modules
- 配置：
Dual 集电极—发射极最大电压
- VCEO：
600 V
- 集电极—射极饱和电压：
1.95 V 在25
- C的连续集电极电流：
230 A
- 栅极—射极漏泄电流：
400 nA
- 功率耗散：
445 W
- 最大工作温度：
+ 125 C
- 封装/箱体：
34MM
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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ST |
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D2PAK |
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ST |
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D2PAK |
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