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650V,50mΩGalliumNitride(GaN)FET 1.Generaldescription TheGAN063-650WSAisa650V,50mΩGalliumNitride(GaN)FET.Itisanormally-offdevicethat combinesNexperia’sstate-of-the-arthigh-voltageGaNHEMTandlow-voltagesiliconMOSFET technologies—offeringsuperiorreliabilityandperformance. 2.Featuresandbenefit | NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司 | NEXPERIA |
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