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GAN041-650WSB中文资料650 V、35 mΩ氮化镓(GaN) FET,采用TO-247封装数据手册Nexperia规格书

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厂商型号

GAN041-650WSB

功能描述

650 V、35 mΩ氮化镓(GaN) FET,采用TO-247封装

制造商

Nexperia Nexperia B.V. All rights reserved

中文名称

安世 安世半导体(中国)有限公司

数据手册

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更新时间

2025-9-23 22:59:00

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GAN041-650WSB规格书详情

描述 Description

The GAN041-650WSB is a 650 V, 35 mΩ Gallium Nitride (GaN) FET in a TO-247 package. It is a normally-off device that combines Nexperia’s latest high-voltage GaN HEMT H2 technology and low-voltage silicon MOSFET technologies — offering superior reliability and performance.

特性 Features

• Ultra-low reverse recovery charge
• Simple gate drive (0 V to +10 V or 12 V)
• Robust gate oxide (±20 V capability)
• High gate threshold voltage (+4 V) for very good gate bounce immunity
• Very low source-drain voltage in reverse conduction mode
• Transient over-voltage capability

应用 Application

• Hard and soft switching converters for industrial and datacom power
• Bridgeless totempole PFC
• PV and UPS inverters
• Servo motor drives

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