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GAL18V10B-20LJ	文件：265.87 Kbytes Page：16 Pages	HighPerformanceE2CMOSPLDGenericArrayLogic Description TheGAL18V10,at7.5nsmaximumpropagationdelaytime,combinesahighperformanceCMOSprocesswithElectricallyErasable(E2)floatinggatetechnologytoprovideaveryflexible20-pinPLD.CMOScircuitryallowstheGAL18V10toconsumemuchlesspowerwhencomparedtoitsbipolar	LatticeLattice Semiconductor Corporation 莱迪思半导体	Lattice
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HighPerformanceE2CMOSPLDGenericArrayLogic

Description TheGAL18V10,at7.5nsmaximumpropagationdelaytime,combinesahighperformanceCMOSprocesswithElectricallyErasable(E2)floatinggatetechnologytoprovideaveryflexible20-pinPLD.CMOScircuitryallowstheGAL18V10toconsumemuchlesspowerwhencomparedtoitsbipolar

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更多GAL18V10B-20LP(PROG)供应商更新时间2024-5-1 19:14:00

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