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GAL16V8D-25LJ	文件：340.72 Kbytes Page：23 Pages	HighPerformanceE2CMOSPLD	LatticeLattice Semiconductor 莱迪思莱迪思半导体公司	Lattice
GAL16V8D-25LJ	文件：654.14 Kbytes Page：24 Pages	HighPerformanceE2CMOSPLDGenericArrayLogic?	LatticeLattice Semiconductor 莱迪思莱迪思半导体公司	Lattice
GAL16V8D-25LJ	文件：395.51 Kbytes Page：22 Pages	HighPerformanceE2CMOSPLDGenericArrayLogic?	LatticeLattice Semiconductor 莱迪思莱迪思半导体公司	Lattice
GAL16V8D-25LJ	文件：316 Kbytes Page：22 Pages	HighPerformanceE2CMOSPLDGenericArrayLogic Description TheGAL16V8,at3.5nsmaximumpropagationdelaytime,combinesahighperformanceCMOSprocesswithElectricallyErasable(E2)floatinggatetechnologytoprovidethehighestspeedperformanceavailableinthePLDmarket.Highspeederasetimes( Features •HIGHPERFORMANCE	LatticeLattice Semiconductor 莱迪思莱迪思半导体公司	Lattice
GAL16V8D-25LJ	文件：339.82 Kbytes Page：23 Pages	HighPerformanceE2CMOSPLDGenericArrayLogic?	LatticeLattice Semiconductor 莱迪思莱迪思半导体公司	Lattice
GAL16V8D-25LJ	文件：767.57 Kbytes Page：26 Pages	AllDevicesDiscontinued Features •HIGHPERFORMANCEE2CMOS®TECHNOLOGY —3.5nsMaximumPropagationDelay —Fmax=250MHz —3.0nsMaximumfromClockInputtoDataOutput —UltraMOS® AdvancedCMOSTechnology •50to75REDUCTIONINPOWERFROMBIPOLAR —75mATypIcconLowPowerDevice —45mATypIccon	LatticeLattice Semiconductor 莱迪思莱迪思半导体公司	Lattice
GAL16V8D-25LJI	文件：339.82 Kbytes Page：23 Pages	HighPerformanceE2CMOSPLDGenericArrayLogic?	LatticeLattice Semiconductor 莱迪思莱迪思半导体公司	Lattice
GAL16V8D-25LJI	文件：316 Kbytes Page：22 Pages	HighPerformanceE2CMOSPLDGenericArrayLogic Description TheGAL16V8,at3.5nsmaximumpropagationdelaytime,combinesahighperformanceCMOSprocesswithElectricallyErasable(E2)floatinggatetechnologytoprovidethehighestspeedperformanceavailableinthePLDmarket.Highspeederasetimes( Features •HIGHPERFORMANCE	LatticeLattice Semiconductor 莱迪思莱迪思半导体公司	Lattice
GAL16V8D-25LJI	文件：654.14 Kbytes Page：24 Pages	HighPerformanceE2CMOSPLDGenericArrayLogic?	LatticeLattice Semiconductor 莱迪思莱迪思半导体公司	Lattice
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