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G4PC50F中文资料PDF规格书

G4PC50F
厂商型号

G4PC50F

功能描述

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.45V, @Vge=15V, Ic=39A)

文件大小

146.41 Kbytes

页面数量

8

生产厂商 International Rectifier
企业简称

IRF英飞凌

中文名称

英飞凌科技公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2024-5-4 9:01:00

G4PC50F规格书详情

VCES= 600V

VCE(on) typ. = 1.45V

@VGE = 15V, IC = 39A

Features

• Optimized for medium operating frequencies ( 1-5 kHz in hard switching, >20 kHz in resonant mode).

• Generation 4 IGBT design provides tighter parameter distribution and higher efficiency than Generation 3

• Industry standard TO-247AC package

Benefits

• Generation 4 IGBTs offer highest efficiency available

• IGBTs optimized for specified application conditions

• Designed to be a drop-in replacement for equivalent industry-standard Generation 3 IR IGBTs

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