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厂商型号

G4PC30F

功能描述

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.59V, @Vge=15V, Ic=17A)

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145 Kbytes

页面数量

8

生产厂商

IRF

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更新时间

2025-12-16 23:01:00

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G4PC30F规格书详情

Fast Speed IGBT

特性 Features

• Fast: Optimized for medium operating frequencies ( 1-5 kHz in hard switching, >20 kHz in resonant mode).

• Generation 4 IGBT design provides tighter parameter distribution and higher efficiency than Generation 3

• Industry standard TO-247AC package

Benefits

• Generation 4 IGBTs offer highest efficiency available

• IGBTs optimized for specified application conditions

• Designed to be a drop-in replacement for equivalent industry-standard Generation 3 IR IGBTs

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