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G20120CTW

萧特基 (Schottky)(.5A 和以上)

Diodes

美台半导体

GSMBRTL20120

Schottky Barrier Rectifier

FEATURES ·Multi-layer Metal -Silicon Potential Structure ·Low Leakage Current ·High Current Capability, High Efficiency ·High Junction Temperature Capability

文件:311.3 Kbytes 页数:2 Pages

ISC

无锡固电

HBR20120U

SCHOTTKY BARRIER DIODE

文件:586.94 Kbytes 页数:8 Pages

JSMCJILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD.

华微电子吉林华微电子股份有限公司

HBR20120UB

SCHOTTKY BARRIER DIODE

文件:586.94 Kbytes 页数:8 Pages

JSMCJILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD.

华微电子吉林华微电子股份有限公司

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更多G20120CTW供应商 更新时间2025-12-21 9:03:00