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G20120CTW

萧特基 (Schottky)(.5A 和以上);

DiodesDiodes Incorporated

美台半导体

GSMBRTL20120

SchottkyBarrierRectifier

FEATURES ·Multi-layerMetal-SiliconPotentialStructure ·LowLeakageCurrent ·HighCurrentCapability,HighEfficiency ·HighJunctionTemperatureCapability

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

HBR20120U

SCHOTTKYBARRIERDIODE

JSMCJILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD.

华微电子吉林华微电子股份有限公司

HBR20120UB

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更多G20120CTW供应商 更新时间2025-7-28 20:12:00