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G1K3N10G数据手册GOFORD中文资料规格书

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厂商型号

G1K3N10G

功能描述

Trench Mosfet

制造商

GOFORD GOFORD SEMICONDUCTOR

中文名称

谷峰半导体

数据手册

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更新时间

2025-8-13 23:01:00

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技术参数

  • 制造商编号

    :G1K3N10G

  • 生产厂家

    :GOFORD

  • Configuration

    :N channel

  • ESD

    :NO

  • VDS(min)

    :100V

  • Id at 25℃(max)

    :5A

  • PD(max)

    :1.5W

  • Vgs(th)typ(V)

    :1.6V

  • RDS(on)(typ)(@10V)

    :110mΩ

  • RDS(on)(typ)(@4.5V)

    :120mΩ

  • Qg(nC)

    :20

  • Ciss

    :644

  • Crss

    :14

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