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G18P03S中文资料谷峰半导体数据手册PDF规格书

G18P03S
厂商型号

G18P03S

功能描述

P-Channel Trench Power MOSFET

丝印标识

G18P03

封装外壳

SOP-8

文件大小

2.09989 Mbytes

页面数量

6

生产厂商 GOFORD SEMICONDUCTOR
企业简称

GOFORD谷峰半导体

中文名称

谷峰半导体官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-6-28 23:00:00

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G18P03S规格书详情

General Description

The G18P03S uses advanced trench technology to provide

excellent RDS(ON), low gate charge and operation with gate

voltages as low as -5V. This device is suitable for use as a

wide variety of applications.

Features

High Power and current handing capability

Surface Mount Package

RoHS Compliant

Application

● DC-DC converter

● Load switch

● Power management

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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