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FZT953QTA

100V PNP MEDIUM POWER TRANSISTOR

文件:533.03 Kbytes 页数:7 Pages

DIODES

美台半导体

FZT953QTA

Package:TO-261-4,TO-261AA;包装:卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带 类别:分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 描述:PWR LOW SAT TRANSISTOR SOT223 T\u0026

DIODES

美台半导体

FZT953TA

SOT223 PNP SILICON PLANAR HIGH CURRENT (HIGH PERFORMANCE) TRANSISTORS

Features • BVCEO > -60V • IC = -5A High Continuous Collector Current • ICM = -15A Peak Pulse Current • Low Saturation Voltage VCE(SAT)

文件:110.03 Kbytes 页数:5 Pages

DIODES

美台半导体

FZT953TA

100V PNP MEDIUM POWER TRANSISTOR

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DIODES

美台半导体

G953

1.5A Low Dropout Regulator

General Description The G953 is a high performance positive voltage regulator designed for use in applications requiring very low dropout voltage at up to 1.5 Amps. G953 features 500mV dropout voltages and very low ground current. Although designed for high current loads, these devices are also u

文件:29.18 Kbytes 页数:1 Pages

GMT

致新科技

产品属性

  • 产品编号:

    FZT953QTA

  • 制造商:

    Diodes Incorporated

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 系列:

    Automotive, AEC-Q101

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带

  • 晶体管类型:

    PNP

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    420mV @ 400mA,4A

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    50nA

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    100 @ 1A,1V

  • 频率 - 跃迁:

    125MHz

  • 工作温度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    TO-261-4,TO-261AA

  • 供应商器件封装:

    SOT-223-3

  • 描述:

    PWR LOW SAT TRANSISTOR SOT223 T\u0026

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
DIODES/美台
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更多FZT953QTA供应商 更新时间2026-2-6 14:03:00